| MOS器件~(90)Sr-~(90)Y源电离辐射效应研究 |
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| 引用本文： | 罗尹虹,张正选,吴国荣,彭宏论.MOS器件~(90)Sr-~(90)Y源电离辐射效应研究[J].微电子学,2000(1). |
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| 作者姓名： | 罗尹虹 张正选 吴国荣 彭宏论 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所!陕西西安710024 |
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| 摘 要： | 介绍了利用90Sr-90Y源辐照装置对MOSFET进行低剂量率辐射条件下的电离辐射效应实验,着重研究了MOSFET的辐照敏感参数随辐照剂量的变化规律,并对实验结果进行了分析讨论。
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| 关 键 词： | 电离辐射效应 MOSFET 抗辐射加固 ~(90)Sr-~(90)Y辐射源 总剂量辐射 |
Ionizing Radiation Effects on MOS Devices Irradiated by~(90)Sr~(90) Y Source |
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| LUO Yin hong,ZHANG Zheng xuan,WU Guo rong,PENG Hong lun.Ionizing Radiation Effects on MOS Devices Irradiated by~(90)Sr~(90) Y Source[J].Microelectronics,2000(1). |
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| Authors: | LUO Yin hong ZHANG Zheng xuan WU Guo rong PENG Hong lun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ionizing radiation effect MOSFET Radiation hardening Total dose irradiation ~(90)Sr~(90)Y source |
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