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| 基区不均匀重掺杂对Si/SiGe/SiHBT基区渡越时间的影响 | |
| 引用本文： | 张万荣,李志国,孙英华,程尧海,陈建新,沈光地.基区不均匀重掺杂对Si/SiGe/SiHBT基区渡越时间的影响[J].微电子学,2000(1). |
| 作者姓名： | 张万荣 李志国 孙英华 程尧海 陈建新 沈光地 |
| 作者单位： | 北京工业大学电子工程系!北京100022 |
| 基金项目： | 北京市自然科学基金，北京市科技新星计划，电子元器件可靠性国家重点实验室资助课题 |
| 摘 要： | 由于发射结(EB结)价带存在着能量差ΔEv,电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定,给HBT设计带来了更大的自由度。为减小基区电阻和防止低温载流子冻析,可增加基区浓度。但基区重掺杂导致禁带变窄,禁带变窄的非均匀性产生的阻滞电场使基区渡越时间增加,退化了频率特性,特别是在低温下更为严重 |
| 关 键 词： | 异质结晶体管 掺杂 基区渡越时间 半导体物理 硅-锗器件 |
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