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硅表面太赫兹抗反射亚波长结构设计
引用本文:苟君,蒋亚东,何少伟,王军,陈鹏杰,黎威志.硅表面太赫兹抗反射亚波长结构设计[J].半导体光电,2014,35(4):621-624,667.
作者姓名:苟君  蒋亚东  何少伟  王军  陈鹏杰  黎威志
作者单位:电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
基金项目:国家自然科学基金项目(61006036, 61235006).
摘    要:亚波长结构是特征尺寸小于工作波长的连续阵列浮雕结构,可看成是一层折射率均匀的介质层,仅存在零级的透射和反射衍射。基于等效介质理论和严格耦合波理论介绍了亚波长抗反射结构。为提高111μm波长太赫兹辐射(2.7THz)的透过率,在硅表面设计了亚波长抗反射结构。该结构的透射率和反射率由其浮雕结构的周期、高度和占空比确定。利用等效介质理论和严格耦合波理论对其结构参数进行了优化设计。当周期为27μm、高度为13μm、占空比为0.75时,得到了99.05%的太赫兹辐射透过率。

关 键 词:亚波长结构  严格耦合波理论  太赫兹  抗反射
收稿时间:2013/12/3

Design of THz Sub Wavelength Antireflective Structure on Si Surface
Abstract:
Keywords:sub wavelength structure    rigorous coupled wave theory    terahertz    antireflection
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