| X射线在金-硅界面剂量增强系数与金和硅厚度关系的模拟研究 |
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| 引用本文： | 张建芳,李春芝,黄志军.X射线在金-硅界面剂量增强系数与金和硅厚度关系的模拟研究[J].原子与分子物理学报,2014,31(5):812-815. |
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| 作者姓名： | 张建芳 李春芝 黄志军 |
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| 作者单位： | 内蒙古民族大学物理与电子信息学院,内蒙古民族大学物理与电子信息学院,通辽供电公司 |
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| 摘 要： | 用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法计算不同能量的X射线在金-硅(Au-Si)界面处中产生的剂量增强系数（DEF）与金(Au)和硅(Si)厚度的关系.结果表明：界面一侧Si中的DEF与Au和Si的厚度有关。当Au厚度分别取1μm、2μm、4μm、8μm时，界面处最大剂量增强系数分别为：19.78、24.78、24.78、32.3，界面处的DEF随Au厚度的增加而增大；当Si厚度分别取1μm、2μm、4μm、8μm时，界面处最大剂量增强系数分别为：24.5、25.91、27.84、30.09，界面处的DEF随Si厚度的增加而增大.并且研究了Au为2μm、4μm时界面下不同位置处的DEF随能量的变化关系，界面处的DEF最大，离界面越远剂量增强效应越小.
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| 关 键 词： | 半导体 剂量增强 蒙特卡罗方法 界面 X射线 |
Study influence of gold and silicon on interface dose enhancement factor |
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| ZHANG Jian-fang.Study influence of gold and silicon on interface dose enhancement factor[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2014,31(5):812-815. |
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| Authors: | ZHANG Jian-fang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor dose enhancement Monte Carlo Method interface X-ray |
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