新型( Yb3+,La3+)∶Gd2SiO5和(Yb3+,Tb3+)∶GdTaO4单晶生长及分凝研究 |
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作者姓名: | 宁凯杰 张庆礼 孙敦陆 殷绍唐 |
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作者单位: | 中国科学院安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室,合肥230031;中国科学院研究生院,北京100049;中国科学院安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室,合肥230031 |
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摘 要: | 采用提拉法生长了尺寸为φ30 mm × 50 mm的(Yb3+,La3+)∶Gd2SiO5单晶和尺寸为φ24 mm×57 mm的( Yb3+,Tb3)∶GdTaO4单晶,用X射线荧光法测量了掺杂样品的组分浓度在晶体中的分布,拟合了掺杂离子的有效分凝系数,结果表明:Yb3+在Gd2SiO5晶体中的分凝系数为1.185(15),接近单位1,而La3+则为0.68 (10),偏离单位1较多,对晶体的光学均匀性会有较大的影响;Yb3+和Tb3+在GdTaO4中的分凝系数为0.84(14)和0.84(5),接近单位1,对晶体的光学均匀性影响较小.
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关 键 词: | (Yb3+,La3+)∶Gd2SiO5 (Yb3+,Tb3+)∶GdTaO4 晶体生长 有效分凝系数, |
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