| 沉积温度对PECVD制备碳纳米管形貌的影响 |
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| 引用本文： | 席彩萍,王六定,王小冬,李昭宁.沉积温度对PECVD制备碳纳米管形貌的影响[J].人工晶体学报,2011,40(4):938-941. |
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| 作者姓名： | 席彩萍 王六定 王小冬 李昭宁 |
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| 作者单位： | 西北工业大学应用物理系,西安710072;渭南师范学院,渭南714000;西北工业大学应用物理系,西安,710072 |
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| 摘 要： | 采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,在镀Ni催化剂的Si基底上成功制备出多壁碳纳米管薄膜.采用扫描电镜研究了沉积温度对碳管形貌的影响,进一步通过扩散机制分析了多种形貌CNTs的生长机制.结果表明:沉积温度对催化剂的刻蚀和碳纳米管薄膜的形成起着决定作用,获得定向性良好、分布均匀、密度适中的碳纳米管的最佳温度是700℃.
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| 关 键 词： | 多壁碳纳米管 沉积温度 PECVD |
Effect of Depositing Temperature on the Morphology of Carbon Nanotubes Synthesized by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition |
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| XI Cai-ping,WANG Liu-ding,WANG Xiao-dong,LI Zhao-ning.Effect of Depositing Temperature on the Morphology of Carbon Nanotubes Synthesized by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition[J].Journal of Synthetic Crystals,2011,40(4):938-941. |
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| Authors: | XI Cai-ping WANG Liu-ding WANG Xiao-dong LI Zhao-ning |
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