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| HL—1M装置杂质VUV辐射及Te观测 | |
| 引用本文： | 李可华,王全明.HL—1M装置杂质VUV辐射及Te观测[J].核聚变与等离子体物理,1996,16(4):25-36. |
| 作者姓名： | 李可华 王全明 |
| 摘 要： | 本文介绍了ＨＬ－１Ｍ装置等离子体杂质真空紫外辐射观测的初步结果。用类Ｌｉ离子谱线强度比法估计出Ｔｅ≈４００ｅＶ。镀膜后遥ＣＥＭ探测器的灵敏度提高。杂质对装置放电有重要影响。 |
| 关 键 词： | 等离子体 杂质 托卡马克装置 HL－1M VUV辐射 |
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