| 环境中二氧化硫监测的多孔硅光学传感方法研究 |
| |
| 引用本文： | 黎学明,潘进,万体智,张玉奇. 环境中二氧化硫监测的多孔硅光学传感方法研究[J]. 分析化学, 2005, 33(3): 321-324 |
| |
| 作者姓名： | 黎学明 潘进 万体智 张玉奇 |
| |
| 作者单位： | 1. 重庆大学化学化工学院,重庆,400044
2. 重庆大学材料科学与工程学院,重庆,400044 |
| |
| 摘 要： | 提出一种用于SO_2监测的多孔硅光学传感方案,其原理是以光催化氢化硅烷化处理的多孔硅作为敏感材料,根据多孔硅光致发光峰猝灭程度与SO_2浓度间定量关系,实现SO_2传感。实验采用电化学方法将n型单晶硅腐蚀形成多孔硅并进行氢化硅烷化处理,获得敏感膜层;研究多孔硅发光特性、传感特性、选择性和稳定性。结果表明该多孔硅具有良好光致发光性能,在大气环境和碱性介质中稳定性较高;当SO_2体积分数为5×10-5~2.5×10-4时,多孔硅传感SO2的过程服从SternVolmer方程,其SternVolmer常数k为5×104;同时,体积分数为0.05的CO_2或NO以及体积分数为0.01的CO或NO_2对多孔硅光致发光峰强度无影响。用本法测定样品中SO_2含量,结果满意。
|
| 关 键 词： | 多孔硅 光致发光 二氧化硫 氢化硅烷化 |
Optical Sensing Method Based on Photoluminescence Quenching of Hydrosilylation Porous Silicon for Monitoring Sulfur Dioxide in Environment |
| |
| Li Xueming,Pan Jin,Wan Tizhi,Zhang Yuqi. Optical Sensing Method Based on Photoluminescence Quenching of Hydrosilylation Porous Silicon for Monitoring Sulfur Dioxide in Environment[J]. Chinese Journal of Analytical Chemistry, 2005, 33(3): 321-324 |
| |
| Authors: | Li Xueming Pan Jin Wan Tizhi Zhang Yuqi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Porous silicon photoluminescence sulfur dioxide hydrosilylation |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
