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环境中二氧化硫监测的多孔硅光学传感方法研究
引用本文:黎学明,潘进,万体智,张玉奇.环境中二氧化硫监测的多孔硅光学传感方法研究[J].分析化学,2005,33(3):321-324.
作者姓名:黎学明  潘进  万体智  张玉奇
作者单位:1. 重庆大学化学化工学院,重庆,400044
2. 重庆大学材料科学与工程学院,重庆,400044
摘    要:提出一种用于SO_2监测的多孔硅光学传感方案,其原理是以光催化氢化硅烷化处理的多孔硅作为敏感材料,根据多孔硅光致发光峰猝灭程度与SO_2浓度间定量关系,实现SO_2传感。实验采用电化学方法将n型单晶硅腐蚀形成多孔硅并进行氢化硅烷化处理,获得敏感膜层;研究多孔硅发光特性、传感特性、选择性和稳定性。结果表明该多孔硅具有良好光致发光性能,在大气环境和碱性介质中稳定性较高;当SO_2体积分数为5×10-5~2.5×10-4时,多孔硅传感SO2的过程服从SternVolmer方程,其SternVolmer常数k为5×104;同时,体积分数为0.05的CO_2或NO以及体积分数为0.01的CO或NO_2对多孔硅光致发光峰强度无影响。用本法测定样品中SO_2含量,结果满意。

关 键 词:多孔硅  光致发光  二氧化硫  氢化硅烷化

Optical Sensing Method Based on Photoluminescence Quenching of Hydrosilylation Porous Silicon for Monitoring Sulfur Dioxide in Environment
Li Xueming,Pan Jin,Wan Tizhi,Zhang Yuqi.Optical Sensing Method Based on Photoluminescence Quenching of Hydrosilylation Porous Silicon for Monitoring Sulfur Dioxide in Environment[J].Chinese Journal of Analytical Chemistry,2005,33(3):321-324.
Authors:Li Xueming  Pan Jin  Wan Tizhi  Zhang Yuqi
Abstract:
Keywords:Porous silicon  photoluminescence  sulfur dioxide  hydrosilylation
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