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| 电荷俘获存储器中俘获层的研究进展 | |
| 引用本文： | 李德君,刘明,龙世兵,王琴,张满红,刘璟,杨仕谦,王永,杨潇楠,陈军宁,代月花.电荷俘获存储器中俘获层的研究进展[J].微纳电子技术,2009,46(9). |
| 作者姓名： | 李德君 刘明 龙世兵 王琴 张满红 刘璟 杨仕谦 王永 杨潇楠 陈军宁 代月花 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院,微电子研究所,纳米加工与新器件集成技术实验室,北京,100029;安徽大学,电子科学与技术学院,合肥,230039 2. 中国科学院,微电子研究所,纳米加工与新器件集成技术实验室,北京,100029 3. 安徽大学,电子科学与技术学院,合肥,230039 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目，国家自然科学基金资助项目，国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目，国家科技重大专项资助项目，中国科学院重大科研装备研制项目 |
| 摘 要： | 随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧氮化硅(α-SiOxNy)俘获层、高k介质材料俘获层、植入纳米晶材料的俘获层及其叠层结构的研究现状和存在的问题进行了综述和分析,并对其进一步的研究趋势进行了展望。 |
| 关 键 词： | 高k材料 非挥发性存储器(NVM) 电荷俘获存储器 俘获层 隧穿层 |
Progress of Charge Trapping Layers in Charge Trapping Memories |
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| Li Dejun,Liu Ming,Long Shibing,Wang Qin,Zhang Manhong,Liu Jing,Yang Shiqian,Wang Yong,Yang Xiaonan,Chen Junning,Dai Yuehua.Progress of Charge Trapping Layers in Charge Trapping Memories[J].Micronanoelectronic Technology,2009,46(9). | |
| Authors: | Li Dejun Liu Ming Long Shibing Wang Qin Zhang Manhong Liu Jing Yang Shiqian Wang Yong Yang Xiaonan Chen Junning Dai Yuehua |
| Institution: | Li Dejun1,2,Liu Ming1,Long Shibing1,Wang Qin1,Zhang Manhong1,Liu Jing1,Yang Shiqian1,Wang Yong1,Yang Xiaonan1,Chen Junning2,Dai Yuehua2(1.Laboratory of Nano-Fabrication , Novel Devices Integrated Technology,Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China,2.School of Electronic Science , Technology,Anhui University,Hefei 230039,China) |
| Abstract: | With the coming of 45 nm and 32 nm technology node,the performance of the devices with the conventional Si3N4 charge trapping layer is limited.The substitution of high-k materials for Si3N4 as charge trapping layer has become the research topic and tendency in the area of micro-electronics at present.Research status and present problem of the charge trapping layer in the charge trapping memory are summarized and analyzed,including Si3N4 dopped O(α-SiOxNy),high-k materials,embedded nanocrystal materials and multistacked structure.And the further research tendency is prospected. |
| Keywords: | high-k material nonvolatile memory(NVM) charge trapping memory trapping layer tunneling layer |
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