| KOH溶液中(11O)硅片腐蚀特性的研究 |
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| 引用本文： | 贾翠萍,董玮,徐宝琨,潘建旋,周敬然,陈维友.KOH溶液中(11O)硅片腐蚀特性的研究[J].半导体技术,2005,30(6):52-55. |
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| 作者姓名： | 贾翠萍 董玮 徐宝琨 潘建旋 周敬然 陈维友 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室,长春,130012;吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室,长春,130012;吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室,长春,130012;吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室,长春,130012;吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室,长春,130012;吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室,长春,130012 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 研究了在KOH溶液中(110)硅片的腐蚀特性,在保证(110)面的平整和{111}面的光滑的腐蚀实验条件下,利用(110)面和{111}面腐蚀选择比大,采用湿法腐蚀技术可以制作高深宽比结构的方式,在(110)硅片上设计制作出光开关用微反射镜.在腐蚀过程中光开关悬臂的凸角处产生了削角现象,利用表面硅原子悬挂键的分布特征对产生削角的原因作了合理解释,这为以后研究凸角补偿提供了理论依据.
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| 关 键 词： | KOH溶液 (110)硅片 凸角 悬挂键 |
| 文章编号： | 1003-353X(2005)06-0052-04 |
| 修稿时间： | 2004年12月1日 |
Study on the Characteristics of the (110) Silicon Etched in KOH Solution |
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| JIA Cui-ping,DONG Wei,XU Bao-kun,PAN Jian-xuan,ZHOU Jing-ran,CHEN Wei-you.Study on the Characteristics of the (110) Silicon Etched in KOH Solution[J].Semiconductor Technology,2005,30(6):52-55. |
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| Authors: | JIA Cui-ping DONG Wei XU Bao-kun PAN Jian-xuan ZHOU Jing-ran CHEN Wei-you |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | KOH solution (110) silicon convex dangling bonds |
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