一种改进的2×2 SOI Mach-Zehnder热光开关 |
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作者姓名: | 杨笛 余金中 陈少武 |
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作者单位: | 中央民族大学,理学院,北京,100081;中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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基金项目: | 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家高技术研究发展计划(863计划) , Science Foundation of the Central University for Nationalities |
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摘 要: | 本文设计并制作了基于强限制多模干涉耦合器的2×2 SOI马赫-曾德热光开关.这种光开关采用了深刻蚀结构的多模干涉耦合器和输入/输出波导,较大地提高了干涉耦合器的性能并减少了连接耦合损耗.同时,在调制臂区域采用浅刻蚀结构,保持其单模调制状态.深刻蚀多模干涉耦合器具有优越的特性,在实验中测得不均衡度只有0.03 dB,插入损耗-0.6 dB.基于这种耦合器的新型热光开关,其插入损耗为-6.8 dB,其中包括光纤-波导耦合损耗-4.3 dB,开关时间为6.8 μs.
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关 键 词: | 热光开关 多模干涉耦合器 SOI |
收稿时间: | 2006-11-20 |
修稿时间: | 2007-01-26 |
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