单片式声电卷积器/相关器及其在信号处理中的应用

本文讨论了声表面波单片式ZnO/SiO_2/Si声电卷积器/相关器的原理与设计。它是利用压电体的自由表面相反传播的声表面波的非线性互作用,还利用半导体中的载流子与声场互作用获得其复杂的卷积/相关信号。本文介绍的是一种在半导体(n-Si)表面上沉积一层压电膜(ZnO)的层状结构的固态器件。其特点是量轻、低工作电压、低的伪信号电平和温度系数,实测卷积器/相关器的性能为f_0=60MHz,带宽为3.8MHz,卷积效率为F_(T_0)=-63～-65dBm,相关时间为T=4.5μS、动态范围大于40dB。最小输入功率小于1dBm。