| Hg_(1-x)Cd_xTe n~+-p光电二极管中的深能级及其电流机构的流体静压力研究 |
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| 引用本文： | 袁皓心,李齐光,姜山,陆卫,童斐明,汤定元.Hg_(1-x)Cd_xTe n~+-p光电二极管中的深能级及其电流机构的流体静压力研究[J].物理学报,1990(3). |
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| 作者姓名： | 袁皓心 李齐光 姜山 陆卫 童斐明 汤定元 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海技术物理研究所 上海，200083，上海，200083，上海，200083，上海，200083，上海，200083，上海，200083 |
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| 摘 要： | 在流体静压力(0—2GPa)下,对Hg_(1-x)Cd_xTe n~+-p光电二极管(x=0.5)室温电学特性进行了实验和理论研究。通过考虑深能级压力效应及其对深能级辅助隧道电流的影响,较好地解释了实验上观察到的p-n结伏安特性在小偏压范围下呈现的“反常”压力关系。由对实验数据的理论拟合得到两个深能级:D_l(=E_v+0.75E_g)和D_l(=E_v+0.5E_g),以及相应的电子寿命和空穴寿命,并得到了未掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe中深能级的压力系数。
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