| 低偏置电压工作的自对准InGaP/GaAs功率异质结双极晶体管 |
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| 引用本文： | 郑丽萍,孙海锋,狄浩成,樊宇伟,王素琴,刘新宇,吴德馨.低偏置电压工作的自对准InGaP/GaAs功率异质结双极晶体管[J].半导体学报,2004,25(8). |
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| 作者姓名： | 郑丽萍 孙海锋 狄浩成 樊宇伟 王素琴 刘新宇 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金，中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 介绍L波段、低偏置电压下工作的自对准InGaP/GaAs功率异质结双极晶体管的研制.在晶体管制作过程中采用了发射极-基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特性.功率测试结果显示:当器件工作在AB类,工作频率为2GHz,集电极偏置电压仅为3V时,尺寸为2×(3μm×15μm)×12的功率管获得了最大输出功率为23dBm,最大功率附加效率为45%,线性增益为10dB的良好性能.
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| 关 键 词： | 自对准 InGaP 功率双异质结晶体管 低偏置电压 |
Self-Aligned InGaP/GaAs Power HBTs with a Low Bias Voltage |
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| Abstract: | A self-aligned InGaP/GaAs power HBTs for L-band power amplifier with low bias voltage are described.Base emitter metal self-aligning ,air-bridge ,and wafer-thinning are used to improve microwave power performance.A power HBT with double size of emitter of (3μm× 15μm) × 12 is fabricated. When the packaged HBT operates in class AB at a collector bias of 3V,a maximum 23dBm output power with 45% power added efficiency is achieved at 2GHz. The results show that the InGaP/GaAs power HBTs have great potential in mobile communication systems operating at low bias voltage. |
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| Keywords: | self-aligned InGaP power HBTs low bias voltage |
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