| ZnO/SiC/Si(111)异质外延 |
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| 引用本文： | 朱俊杰,林碧霞,姚然,赵国亮,傅竹西.ZnO/SiC/Si(111)异质外延[J].半导体学报,2004,25(12). |
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| 作者姓名： | 朱俊杰 林碧霞 姚然 赵国亮 傅竹西 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学技术大学物理系,合肥,230026
2. 中国科学技术大学物理系,合肥,230026;中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥,230026 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 使用SiC作为过渡层,采用自行设计建造的连通式双反应室高温MOCVD系统很好地克服了ZnO和SiC生长时的交叉污染问题,在Si基片上外延出高质量的ZnO薄膜.测量了样品的XRD和摇摆曲线,以及室温下的PL谱.实验结果表明,SiC过渡层的引入大大提高了ZnO薄膜的质量和发光性能,并有望实现在Si上制备ZnO单晶薄膜.
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| 关 键 词： | 低压MOCVD ZnO/SiC/Si 结构特性 光致发光 |
Hetero-Epitaxy ZnO/SiC/Si by LP-MOCVD |
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