| ZnO-SnO2透明导电膜的低温制备及性质 |
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| 引用本文： | 黄树来,马瑾,刘晓梅,马洪磊,孙征,张德恒.ZnO-SnO2透明导电膜的低温制备及性质[J].半导体学报,2004,25(1). |
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| 作者姓名： | 黄树来 马瑾 刘晓梅 马洪磊 孙征 张德恒 |
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| 作者单位： | 山东大学物理与微电子学院,济南,250100;山东大学计算机学院,济南,250100 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 在室温下,采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上制备出ZnO-SnO2透明导电薄膜.制备的薄膜为非晶结构,并且薄膜的电阻率强烈地依赖于溅射气体中的氧分压.薄膜的最小电阻率为7.27×10-3Ω*cm,载流子浓度为4.3×1019cm-3、霍尔迁移率为20.5cm2/(V*s),在可见光范围内的平均透过率达到了90%.
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| 关 键 词： | 透明导电膜 ZnO-SnO2 射频磁控溅射 |
Preparation and Properties of Conducting Transparent ZnO-SnO2 Films Deposited at Room Temperature |
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