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| 退火对GaAs窗口晶体力学性能的影响 | |
| 引用本文： | 黎建明,屠海令,郑安生. 退火对GaAs窗口晶体力学性能的影响[J]. 半导体学报, 2004, 25(1) |
| 作者姓名： | 黎建明 屠海令 郑安生 |
| 作者单位： | 北京有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心,北京,100088 |
| 摘 要： | 在LEC GaAs晶片中,存在相当大的弹性应变,在高温退火后,晶片的晶格参数的相对变化量不到原生晶片的70%,残余应力得以部分释放,从而减小残余应力诱生断裂的可能性,提高了GaAs晶体的断裂模数.原生GaAs晶体加工的样品的断裂模数平均值约为135MPa,而退火GaAs晶体加工的样品的断裂模数平均值更高,约为150MPa,断裂模数最高值达163MPa. |
| 关 键 词： | GaAs 断裂模数 退火 |
Effect of Annealing on Modulus of Rupture of GaAs Window Crystals |
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