| GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真 |
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| 引用本文： | 刘奕,陈海昕,符松.GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真[J].半导体学报,2004,25(12). |
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| 作者姓名： | 刘奕 陈海昕 符松 |
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| 作者单位： | 清华大学工程力学系,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 采用计算流体力学方法对生长半导体材料GaN的重要设备MOCVD(金属有机物化学气相沉积)反应室中的流场结构进行了三维数值仿真.数值模拟采用基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力-速度耦合方法进行求解.数值仿真给出了具有复杂几何结构和运动方式的GaN-MOCVD反应室中的流场结构,研究了改变几何尺寸和运行参数对MOCVD反应室流场结构的影响,对正在试制开发中的MOCVD设备的几何结构的改进和运行参数的优化提出了指导性建议.
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| 关 键 词： | CFD GaN MOCVD 数值仿真 |
CFD Simulation of Flow Patterns in GaN-MOCVD Reactor |
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