| 缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 吴洁君,韩修训,李杰民,黎大兵,魏宏远,康亭亭,王晓晖,刘祥林,王占国. 缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(3): 466-470 |
| |
| 作者姓名： | 吴洁君 韩修训 李杰民 黎大兵 魏宏远 康亭亭 王晓晖 刘祥林 王占国 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,材料开放重点实验室,北京,100083 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.60376013,60136020)资助 |
| |
| 摘 要： | 本文研究了低温GaN(LT-GaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响.用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LT-GaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角GaN小晶粒的数量减少,且取向较为一致.用X光双晶衍射(XRD)、AFM和Hall测量研究1μm厚本征GaN外延薄膜的结晶质量、表面粗糙度、背底载流子浓度和迁移率等性能,发现随着LT-GaN缓冲层厚度的增加:XRD的半高宽FWHMs增大,表面粗糙度先减小后又略有增大,背底载流子浓度则随之减少,而迁移率的变化则不明显.通过分析进一步确认LT-GaN缓冲层的最优生长时间.
|
| 关 键 词： | 缓冲层厚度 GaN 蓝宝石衬底 MOCVD, |
| 文章编号： | 1000-985X(2005)03-0466-05 |
Influence of Buffer Layer Thickness on the Properties of an Undoped GaN Layer Grown on Sapphire Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition |
| |
| WU Jie-jun,HAN Xiu-xun,LI Jie-min,LI Da-bing,WEI Hong-yuan,KANG Ting-ting,WANG Xiao-hui,LIU Xiang-lin,WANG Zhan-guo. Influence of Buffer Layer Thickness on the Properties of an Undoped GaN Layer Grown on Sapphire Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(3): 466-470 |
| |
| Authors: | WU Jie-jun HAN Xiu-xun LI Jie-min LI Da-bing WEI Hong-yuan KANG Ting-ting WANG Xiao-hui LIU Xiang-lin WANG Zhan-guo |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | buffer layer thickness GaN sapphire substrate MOCVD |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《人工晶体学报》下载全文 |
|
