| In0.53Ga0.47AS/In0.52Al0.48As量子阱中的正磁电阻效应 |
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| 引用本文： | Shang Li-Yan,林铁,Zhou Wen-Zheng,李东临,Gao Hong-Ling,曾一平,Guo Shao-Ling,俞国林,Chu Jun-Hao.In0.53Ga0.47AS/In0.52Al0.48As量子阱中的正磁电阻效应[J].物理学报,2008,57(8). |
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| 作者姓名： | Shang Li-Yan 林铁 Zhou Wen-Zheng 李东临 Gao Hong-Ling 曾一平 Guo Shao-Ling 俞国林 Chu Jun-Hao |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家重点基础研究发展规划( |
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| 摘 要： | 在低温强磁场条件下,对In0.53 Ga0.47 As/In0.52AI0.48As量子阱中的二维电子气进行了磁输运测试.在低磁场范围内观察到正磁电阻效应,在高磁场下这一正磁电阻趋于饱和,分析表明这一现象与二维电子气中的电子占据两个子带有关.在考虑了两个子带之间的散射效应后,通过分析低磁场下的正磁电阻,得到了每个子带电子的迁移率,结果表明第二子带电子的迁移率高于第一子带电子的迁移率.进一步分析表明,这主要是由两个子带之间的散射引起的.
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| 关 键 词： | 二维电子气 正磁电阻 子带散射 |
Positive magnetoresistance in In0.53 Ga0.47 As/In0.52AI0.48Asquantum well |
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| Shang Li-Yan,Lin Tie,Zhou Wen-Zheng,Li Dong-Lin,Gao Hong-Ling,Zeng Yi-Ping,Guo Shao-Ling,Yu Guo-Lin,Chu Jun-Hao.Positive magnetoresistance in In0.53 Ga0.47 As/In0.52AI0.48Asquantum well[J].Acta Physica Sinica,2008,57(8). |
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| Authors: | Shang Li-Yan Lin Tie Zhou Wen-Zheng Li Dong-Lin Gao Hong-Ling Zeng Yi-Ping Guo Shao-Ling Yu Guo-Lin Chu Jun-Hao |
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