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| 分布反馈式半导体激光器耦合系数计算与垂向结构设计 | |
| 作者姓名： | 罗毅 蒲锐 彭吉虎 |
| 作者单位： | [1]清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室，北京 [2]清华大学电子工程系集成光电子 |
| 摘 要： | 本文推导出增益耦合型分布反馈式（ＤＦＢ）半导体激光器ＴＥ、ＴＭ模耦合系数Ｋ的计算公式．分析了ＤＦＢ激光器的横模，讨论了ｋ与ＤＦＢ激光器横模、光栅级数、占空比及吸收光栅层厚的关系．最后得出含吸收光栅的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ增益耦合型ＤＦＢ激光器在采用三级光栅时的优化设计结果为：占空比０．１６，吸收层厚５０ｕｍ． |
| 关 键 词： | 半导体激光器 耦合系数 计算 垂向结构 设计 |
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