| 利用快速热退火法制备多晶硅薄膜 |
| |
| 引用本文： | 冯团辉,卢景霄,张宇翔,郜小勇,杨仕娥,李瑞,靳锐敏,王海燕. 利用快速热退火法制备多晶硅薄膜[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(2): 353-358 |
| |
| 作者姓名： | 冯团辉 卢景霄 张宇翔 郜小勇 杨仕娥 李瑞 靳锐敏 王海燕 |
| |
| 作者单位： | 郑州大学教育部材料物理重点实验室,郑州,450052;郑州大学教育部材料物理重点实验室,郑州,450052;郑州大学教育部材料物理重点实验室,郑州,450052;郑州大学教育部材料物理重点实验室,郑州,450052;郑州大学教育部材料物理重点实验室,郑州,450052;郑州大学教育部材料物理重点实验室,郑州,450052;郑州大学教育部材料物理重点实验室,郑州,450052;郑州大学教育部材料物理重点实验室,郑州,450052 |
| |
| 基金项目： | 河南省自然科学基金资助项目(No. 004040200) |
| |
| 摘 要： | 为了制备优质的多晶硅薄膜,该论文研究了非晶硅薄膜的快速热退火(RTA)技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用X射线衍射(XRD)仪、Raman光谱仪及扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,利用电导率测试设备测试其暗电导率.研究表明退火温度、退火时间以及沉积时的衬底温度对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响.
|
| 关 键 词： | 快速热退火 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 晶粒尺寸 暗电导率 |
| 文章编号： | 1000-985X(2005)02-0353-06 |
Preparing Polycrystalline Silicon Thin Films by RTA |
| |
| FENG Tuan-hui,LU Jing-xiao,ZHANG Yu-xiang,GAO Xiao-yong,YANG Shi-e,LI Rui,JIN Rui-min,WANG Hai-yan. Preparing Polycrystalline Silicon Thin Films by RTA[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(2): 353-358 |
| |
| Authors: | FENG Tuan-hui LU Jing-xiao ZHANG Yu-xiang GAO Xiao-yong YANG Shi-e LI Rui JIN Rui-min WANG Hai-yan |
| |
| Abstract: | The rapid thermal annealing(RTA)technique for crystallization of a-Si:H thin films was studied in order to prepare high quality polycrystalline silicon thin films.The a-Si:H thin films were deposited by PECVD and then were annealed in RTA furnace .The microstructure and morphology of thin films were investigated by XRD, SEM and Raman spectra and the electric property was studied through dark conductivity measurements. The results show that the annealing temperature, annealing time and the substrate temperature during the deposition of a-Si:H thin films all have great effects on the crystallization of a-Si:H thin films. |
| |
| Keywords: | rapid thermal annealing(RTA) amorphous silicon thin film polycrystalline silicon thin film grain size dark conductivity |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《人工晶体学报》下载全文 |
|
