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| 压电单晶薄膜衬底光刻工艺研究 | |
| 引用本文： | 唐代华,潘祺,米佳,冷俊林,唐塽,何西良,黎妮.压电单晶薄膜衬底光刻工艺研究[J].压电与声光,2021,43(4):583-586. |
| 作者姓名： | 唐代华 潘祺 米佳 冷俊林 唐塽 何西良 黎妮 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所,重庆 400060;中国电子科技集团公司第四十四研究所,重庆 400060 |
| 摘 要： | 单晶薄膜声表面波(SAW)滤波器因其低损耗,低频率温度系数及大带宽而成为高性能SAW滤波器未来发展的方向。针对单晶薄膜衬底反射带来的换能器指条锯齿和均匀性恶化的问题,该文采用了有机抗反射膜工艺,通过控制抗反射膜的膜厚将衬底的相对反射率由15.84%降低至1.08%,制作出整齐无毛刺的叉指换能器指条,并将SAW谐振器的伯德Q(BodeQ)值由1 400提升到1 950。 |
| 关 键 词： | 压电单晶薄膜衬底 抗反射膜 光刻 伯德Q值 |
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