| GaAs脊型波导Mach-Zehnder干涉调制器 |
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| 引用本文： | 王立军 Sala.,RP. GaAs脊型波导Mach-Zehnder干涉调制器[J]. 发光学报, 1993, 14(4): 384-386 |
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| 作者姓名： | 王立军 Sala. RP |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院长春物理研究所, 长春 130021;2. 洛桑瑞士联邦技术学院 |
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| 摘 要： | 半导体电光波导调制器是半导体集成光学中具有代表性的器件之一,在光纤通讯、光信息处理等方面有着广阔的应用前景。它能和半导体激光器、探测器、电子线路等各种光、电元件实现单片集成,使设备和系统减少接口,缩小体积,提高可靠性。随着光通讯的发展,半导体调制器件的研究也越来越受到重视,在理论分析、结构设计、材料研制和器件工艺技术等方面也都取得了很大进展。由于GaAs材料具有良好的电、光性能,首先被用于制作GaAs光波导Mach-Zehnder干涉调制器中。
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| 关 键 词： | 调制器 光波导 砷化镓 |
| 收稿时间： | 1993-02-01 |
GaAs RIB WAVEGUIDE MACH-ZEHNDER INTERFEROMETRIC MODULATOR |
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| Wang Lijun,Wu Shengli,R. P. Salatbe. GaAs RIB WAVEGUIDE MACH-ZEHNDER INTERFEROMETRIC MODULATOR[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1993, 14(4): 384-386 |
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| Authors: | Wang Lijun Wu Shengli R. P. Salatbe |
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| Affiliation: | 1. Changchun Institute of Physics, Academia Sinica, Changchun 130021;2. Lausanne Federal Institute of Technology, Switzerland |
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| Abstract: | GaAs rib waveguide interferometric modulator with Schottky-barrier electrodes have been fabricated in n-/n+ GaAs by reactive ion etching and lift off mask techniques. The device total losses was 11.2 dB. An extinction ratio of-24.2 dB, and half wave voltage of Vz=21V was obtained for single-mode optical systems operationg at 1.3 μm. The device principle, fabracation and character are introduced. |
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| Keywords: | optical modulator interferometer |
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