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| InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究 | |
| 引用本文： | 周文政,林铁,商丽燕,黄志明,崔利杰,李东临,高宏玲,曾一平,郭少令,桂永胜,褚君浩. InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究[J]. 物理学报, 2007, 56(7): 4099-4104 |
| 作者姓名： | 周文政 林铁 商丽燕 黄志明 崔利杰 李东临 高宏玲 曾一平 郭少令 桂永胜 褚君浩 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;广西大学物理科学与工程技术学院,南宁,530004 2. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083 3. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 4. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;华东师范大学ECNU-SITF成像信息联合实验室,上海,200062 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 研究了Si 重δ 掺杂In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As单量子阱内高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应. 研究表明，强的Rashba自旋轨道相互作用来源于量子阱高的结构反演不对称. 高迁移率系统中，粒子的运动基于弹道输运而非扩散输运. 因此，旧的理论模型不能用于拟合实验结果. 由于最新的模型在实际拟合中过于复杂，一种简单可行的近似用于处理实验结果，并获得了自旋分裂能Δ0和自旋轨道耦合常数α两个重要的物理参数. 该结果与对纵向电阻的Shubnikov-de Haas—SdH振荡分析获得的结果一致. 高迁移率系统中的反弱局域效应研究表明，发展有效的反弱局域理论模型，对于利用Rashba自旋轨道相互作用来设计自旋器件尤为重要. |
| 关 键 词： | In0.5Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As.反弱局域 SdH振荡 二维电子气 |
Weak anti-localization in InAlAs/InGaAs/InAlAs high mobility two-dimensional electron gas systems |
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| Zhou Wen-Zheng,Lin Tie,Shang Li-Yan,Huang Zhi-Ming,Cui Li-Jie,Li Dong-Lin,Gao Hong-Ling,Zeng Yi-Ping,Guo Shao-Ling,Gui Yong-Sheng,Chu Jun-Hao. Weak anti-localization in InAlAs/InGaAs/InAlAs high mobility two-dimensional electron gas systems[J]. Acta Physica Sinica, 2007, 56(7): 4099-4104 | |
| Authors: | Zhou Wen-Zheng Lin Tie Shang Li-Yan Huang Zhi-Ming Cui Li-Jie Li Dong-Lin Gao Hong-Ling Zeng Yi-Ping Guo Shao-Ling Gui Yong-Sheng Chu Jun-Hao |
| Abstract: | |
| Keywords: | In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As weak anti-localization SdH oscillation two-dimensional electron gas |
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