| 铜薄膜中空位的计算机模拟 |
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| 引用本文： | 熊志华,刘继东,雷敏生. 铜薄膜中空位的计算机模拟[J]. 南昌大学学报(理科版), 2006, 30(2): 179-182 |
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| 作者姓名： | 熊志华 刘继东 雷敏生 |
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| 作者单位： | 南昌大学,材料科学与工程学院,江西,南昌,330047;江西科技师范学院,江西省光电子与通信重点实验室,江西,南昌,330013;江西师范大学,物理系,江西,南昌,330027;江西科技师范学院,江西省光电子与通信重点实验室,江西,南昌,330013;江西师范大学,物理系,江西,南昌,330027 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目;江西省点实验室基金 |
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| 摘 要： | 使用基于局域密度泛函理论的第一性原理赝势法，对6原子层厚铜薄膜中的空位进行了计算机模拟研究，计算出薄膜表面层、次表层和第三层中空位的形成能分别是0.69，0．82和1．00eV。作为对比，计算得到体材料中空位的形成能是1．04eV。并详细分析了空位近邻原子的驰豫情况。计算所得到结果与实验数据基本一致。
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| 关 键 词： | 铜薄膜 空位形成能 第一性原理 |
| 文章编号： | 1006-0464（2006）02-0179-04 |
| 收稿时间： | 2005-04-25 |
| 修稿时间： | 2005-04-25 |
Computer Simulation of Vacancy in Copper Thin Film |
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| XIONG Zhi-hua,LIU Ji-dong,LEI Ming-sheng. Computer Simulation of Vacancy in Copper Thin Film[J]. Journal of Nanchang University(Natural Science), 2006, 30(2): 179-182 |
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| Authors: | XIONG Zhi-hua LIU Ji-dong LEI Ming-sheng |
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| Abstract: | Ab initio method with pseudopotentials theory based on the local density functional theory has been used to investigate the bulk Cu and six-layer copper thin film.The vacancy formation energy of Cu(111) thin film and bulk Cu have been calculated.Calculated formation energy of mono-vacancy in the top three layers of the thin film are 0.69eV,0.82eV and 1.00eV respectively,and the formation energy of bulk Cu is 1.04eV.Meantime,the relaxation action of the neighbor atoms around the vacancy are analyzed in detail.The results of calculation are found to be in good agreement with the experimental measurements. |
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| Keywords: | copper thin film vacancy formation energy ab initio |
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