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薄膜厚度监控器的发展概况
引用本文:刘一声.薄膜厚度监控器的发展概况[J].电子元件与材料,1986(1).
作者姓名:刘一声
作者单位:电子工业部26所 高级工程师
摘    要:<正> 前言自从三十年代用热分解CH_4或C_7H_(10)使C沉积在陶瓷基体上制成碳膜电阻器,以及在透镜表面上真空蒸发低折射率的CaF_2形成减反射涂层以来,由于真空蒸发装置和各种溅射技术的迅速发展,许多新的薄

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