12GHz平面型低噪声GaAs MES FET

本文从考虑了GaAs外延层与衬底的界面陷阱效应的等效电路出发,对影响器件噪声的主要因素进行了理论分析,给出了器件设计范围内的噪声系数与等效电路参数、器件结构参数、材料参数和工作频率的关系曲线。提出了氧离子注入的新型平面器件结构,用普通接触式补偿光刻法制作了亚微米栅条,所得器件比普通台式器件具有更低的微波噪声。在12GHz下,噪声系数为3.5dB,相应的增益为5dB。给出了2～12GHz全套S参数。器件平均工作寿命达2×10~7小时。进行了2～12GHz范围内微波低噪声放大器、混频器和振荡器等应用试验,取得了初步的良好结果。