| 碲锌镉单晶体的正电子寿命研究 |
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| 引用本文： | 唐世红,赵北君,朱世富,王瑞林,高德友,陈俊,张冬敏,何知宇,方军,洪果.碲锌镉单晶体的正电子寿命研究[J].人工晶体学报,2006,35(2):306-309. |
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| 作者姓名： | 唐世红 赵北君 朱世富 王瑞林 高德友 陈俊 张冬敏 何知宇 方军 洪果 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;四川大学材料科学与工程学院,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.60276030)，博士点基金项目(No.20020610023)资助 |
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| 摘 要： | 用正电子湮没技术(PAT)研究了原料富Cd改进布里奇曼法生长的碲锌镉单晶样品退火前后的缺陷.刚生长的样品缺陷寿命值较高,其内部存在的点缺陷主要是占优势的Cd空位,用富Cd同成份源Cd1-xZnxTe气氛对样品在不同温度下等时退火后,发现样品的正电子寿命参数对退火温度表现出很强的依赖关系,通过对样品退火过程中空位的迁移、聚集及消失情况分析,得出较适宜的退火温度约为700℃.
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| 关 键 词： | 碲锌镉 正电子湮没技术 寿命 退火 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）02-0306-04 |
| 收稿时间： | 09 6 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005-09-06 |
Study on the Positron Annihilation Lifetime in Cd1-xZnxTe Crystal |
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| TANG Shi-hong,ZHAO Bei-jun,ZHU Shi-fu,WANG Rui-lin,GAO De-you,CHEN Jun,ZHANG Dong-min,HE Zhi-yu,FANG Jun,HONG Guo.Study on the Positron Annihilation Lifetime in Cd1-xZnxTe Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2006,35(2):306-309. |
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| Authors: | TANG Shi-hong ZHAO Bei-jun ZHU Shi-fu WANG Rui-lin GAO De-you CHEN Jun ZHANG Dong-min HE Zhi-yu FANG Jun HONG Guo |
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| Institution: | College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Cd_(1-x)Zn_xTe(CZT) positron annihilation technology(PAT) lifetime annealing |
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