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透射式GaAs光阴极的静电键合粘结
引用本文:高斐,郭晖,胡仓陆,向世明,石峰,彭岔霞,冯驰,徐晓兵.透射式GaAs光阴极的静电键合粘结[J].光子学报,2008,37(8):1549-1552.
作者姓名:高斐  郭晖  胡仓陆  向世明  石峰  彭岔霞  冯驰  徐晓兵
作者单位:1. 西安应用光学研究所,微光夜视技术国防科技重点实验室,西安,710065;陕西师范大学,物理学与信息技术学院,西安,710062
2. 西安应用光学研究所,微光夜视技术国防科技重点实验室,西安,710065
摘    要:提出了用于GaAs光阴极粘结的静电键合方法.相比于传统的热粘结方法,该方法温度低(350℃),时间短(5 min),在空气中进行.所制得的GaAs光阴极在激活台内的峰值灵敏度为68.8 mA/W(峰值波长为830 nm).以此制作的三代微光管的积分灵敏度为1 311 μA/lm,优于传统的热粘结工艺制作的微光管的灵敏度(~1 200 μA/lm).

关 键 词:微光像增强器  GaAs光阴极  静电键合  灵敏度
收稿时间:2007-03-22
修稿时间:2007-06-06

Electrostatic Bonding of GaAs Photocathode Materials to Glass
GAO Fei,GUO Hui,HU Cang-lu,XIANG Shi-ming,SHI Feng,PENG Cha-xia,FENG Chi,XU Xiao-bing.Electrostatic Bonding of GaAs Photocathode Materials to Glass[J].Acta Photonica Sinica,2008,37(8):1549-1552.
Authors:GAO Fei  GUO Hui  HU Cang-lu  XIANG Shi-ming  SHI Feng  PENG Cha-xia  FENG Chi  XU Xiao-bing
Abstract:Electrostatic bonding method is proposed to combine GaAs photocathode materials and glass.Compared with traditional thermal bonding,this method has the advantages of lower temperature(350℃),shorter time (5 min),and can be performed in air.The peak sensitivity of the fabricated transmission-mode GaAs photocathode using the electrostatic bonding method is 69mA/W at 830nm in active chamber.The integral sensitivity of the fabricated third generation GaAs image tube is 1 311 μA/lm,which is larger than that of the image tube fabricated by traditional thermal bonding (~1 200 μA/lm).
Keywords:Image intensifier  GaAs photocathode  Electrostatic bonding  Sensitivity
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