GexSi1—x／Si反型基区晶体管——工作原理

从理论上研究了GexSi1-x/Si反型基区晶体管（BICFET）的器件特性，这种晶体管是通过调制掺杂反型沟道中空穴的空间电荷来控制垂直方向上的电子输运，本文的研究令人感兴趣的不仅是因为BICFET中运机理的独特作用，而且是因为GexSi1-x/Si材料系统极适合BICFET的结构要求以及BICFET具有优于BJT的显著特性，本文所描述的器件特性是采用漂移－扩散公式进行数字分析和解析分析而得到的，同时也论述了量子限制和非半径曲输运对结构的影响，还进行了GexSi1-x/Si BICFET和Gexsi1-x/Si HBT之间的比较，在另一姊妹篇[1]中所给出的BICFET实验结果和本文提出的理论模型得到的结果作了比较。