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| 新型压电晶体La3Ga5SiO14的生长及特性 | |
| 引用本文： | 王增梅,袁多荣,潘立虎,张沛霖,李正法,程秀凤,吕衍秋,段秀兰,郭世义,吕孟凯,许东.新型压电晶体La3Ga5SiO14的生长及特性[J].压电与声光,2003,25(6):490-493. |
| 作者姓名： | 王增梅 袁多荣 潘立虎 张沛霖 李正法 程秀凤 吕衍秋 段秀兰 郭世义 吕孟凯 许东 |
| 作者单位： | 1. 山东大学,晶体材料国家重点实验室,济南,250100 2. 航天机电集团公司二院二零三所,北京,100854 3. 山东大学,物理系,济南,250100 |
| 基金项目： | 军工配套基金资助项目及国家自然科学基金资助项目(60178029) |
| 摘 要： | 用提拉法成功地生长了La3Ga5SiO14(LGS)单晶,用X-ray粉末衍射证明了其单晶结构,测得沿Y、Z方向的热膨胀系数分别为5×10-6
K-1、3.8×10-6 K-1,在453.15 K时测得晶体的比热为0.90 J/g*K,并在200～ 800 nm之间测其透过谱,测得了其全部压电及弹性常数. |
| 关 键 词： | 提拉法 La3Ga5SiO14 结构 热膨胀 比热 透过谱 压电特性 |
| 文章编号： | 1004-2474(2003)06-0490-04 |
| 修稿时间： | 2002年8月12日 |
Crystal Growth and Characterization of New Piezoelectric Crystals La3Ga5SiO14 |
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| Abstract: | |
| Keywords: | La3Ga5SiO14 |
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