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| 选择性外延隔离P^＋多晶硅栅PMOSFET | |
| 作者姓名： | 凌浩 熊大菁 |
| 作者单位： | 清华大学微电子研究所，清华大学微电子研究所 北京 100084，北京 100084 |
| 摘 要： | 在离子注入埋层的硅片上,以SiO_2层为掩膜和隔离,生长了选择性外延(SEG)单晶硅层,并在此外延层上制作了P~+掺杂的多晶硅栅PMOSFET。浅源漏结的P~+多晶硅栅PMOSFET是使用一次离子注入同时完成栅与源漏的掺杂注入,并由低温退火与快速热退火完成杂质的再分布推进。测试结果表明PMOSFET的短沟道效应明显减小。 |
| 关 键 词： | PMOSFET 单晶硅层 隔离 硅栅 掺杂 |
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