| GSMBE生长掺杂Si及GeSi/Si合金及其电学性质研究 |
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| 引用本文： | 刘学锋,刘金平,李建平,李灵霄,孙殿照,孔梅影,林兰英.GSMBE生长掺杂Si及GeSi/Si合金及其电学性质研究[J].半导体学报,1998,19(12):896-902. |
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| 作者姓名： | 刘学锋 刘金平 李建平 李灵霄 孙殿照 孔梅影 林兰英 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所材料中心 |
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| 摘 要： | 用气态源分子束外延法对Ｓｉ及ＧｅＳｉ／Ｓｉ合金进行了Ｎ、Ｐ型掺杂研究，结果表明，杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程，所获得的Ｎ型及Ｐ型载流子浓度范围分别为１．５×１０１６～４．０×１０１９ｃｍ－３及１．０×１０１７～２．０×１０１９ｃｍ－３，基于对Ｎ型Ｓｉ外延材料中迁移率与杂质浓度、温度的关系，我们用Ｋｌａａｓｓｅｎ模型对实验结果进行拟合，分析了不同散射机制，特别是少数载流子电离散射对迁移率的影响．此外，样品的二次离子谱及扩展电阻分析表明，Ｎ、Ｐ型杂质浓度纵向
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| 关 键 词： | GSMBE 硅 硅化锗 掺杂 外延生长 |
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