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| 镍-铬蒸发沉积薄膜电阻器 | |
| 引用本文： | 大泉充郎,小野寺大,后藤俊成,甘受恩.镍-铬蒸发沉积薄膜电阻器[J].电子技术,1964(9). |
| 作者姓名： | 大泉充郎 小野寺大 后藤俊成 甘受恩 |
| 摘 要： | 前言过去,电阻器的材料主要是使用碳系物质,但由于近年来电子设备性能要求提高,使用频率范围愈来愈宽,采用碳系物质在稳定性、温度系数、频率特性等方面均已不能满足要求,因此代替它的金属膜电阻就受到了人们的重视.最近,又发展了微型组合元件、固体电路等所谓微小型化技术.为此就对元件薄膜最有效的制造工艺问题进行了研究. |
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