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多值nmos基本单元电路分析
引用本文:赵小杰,吴训威.多值nmos基本单元电路分析[J].浙江大学学报(理学版),1993,20(1):36-42.
作者姓名:赵小杰  吴训威
作者单位:杭州大学电子工程系 (赵小杰),杭州大学电子工程系(吴训威)
摘    要:本文根据nMOS晶体管的物理特性,对构成多值nMOS电路的基本单元一一二值反相器,源极跟随器和分压器等形式电路进行了较细致的分析,并用SPICE I模拟给出了各种曲绒.对多值nMOS电路中阂值检测所采用的两种方法,即改变几何比和多阂值法进行比较的结果表明:多闽值法具有更好的转移特性.

关 键 词:多值逻辑  nMOS  电路

An Analysis of Multivalued nMOS Basic Circuit Units
Zhao Xiaojie,Wu Xunwei.An Analysis of Multivalued nMOS Basic Circuit Units[J].Journal of Zhejiang University(Sciences Edition),1993,20(1):36-42.
Authors:Zhao Xiaojie  Wu Xunwei
Institution:Dept. of Electronic Engineering
Abstract:
Keywords:multivalued logic  nMOS
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