| 半绝缘SiC单晶生长和表征 |
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| 引用本文： | 宋生,胡小波,徐现刚. 半绝缘SiC单晶生长和表征[J]. 人工晶体学报, 2012, 0(Z1): 166-169 |
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| 作者姓名： | 宋生 胡小波 徐现刚 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973)(2011CB301904,2009CB930503);国家自然科学基金(51021062,11134006) |
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| 摘 要： | 使用升华法生长碳化硅(SiC)单晶,借助数值模拟方法优化温场,在不同条件下分别获得单一晶型的4H-SiC和6H-SiC单晶,利用拉曼光谱进行表征。采用V掺杂的方法,制备半绝缘SiC单晶,使用非接触式电阻率测试仪进行了测试,并对4H-SiC和6H-SiC电阻率进行了比较和分析。
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| 关 键 词： | SiC单晶 升华法 数值模拟 晶型 半绝缘 |
Growth and Characterization of Semi-insulating SiC Single Crystal |
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| SONG Sheng,HU Xiao-bo,XU Xian-gang. Growth and Characterization of Semi-insulating SiC Single Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 0(Z1): 166-169 |
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| Authors: | SONG Sheng HU Xiao-bo XU Xian-gang |
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| Affiliation: | (State Key Laboratory of Crystal Materials,Shandong University,Jinan 250100,China) |
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