| 铌酸锂晶体最佳掺杂含量的理论计算 |
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| 引用本文： | 范志新,刘新福. 铌酸锂晶体最佳掺杂含量的理论计算[J]. 人工晶体学报, 2002, 31(1): 67-70 |
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| 作者姓名： | 范志新 刘新福 |
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| 作者单位： | 河北工业大学应用物理系,天津,300130 |
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| 摘 要： | 本文把一个从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到铌酸锂晶体材料.该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程.该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系,进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式.系统地分析了铌酸锂晶体材料的掺杂改性的实验结果,应用掺杂最佳含量表达式定量计算了铌酸锂晶体材料的最佳掺杂含量,定量计算的结果与实验数据是比较接近的.该理论方法也适用于其他薄膜材料最佳掺杂含量的理论计算.
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| 关 键 词： | 铌酸锂 制备方法 最佳掺杂含量 理论计算, |
| 文章编号： | 1000-985X(2002)01-0067-04 |
| 修稿时间： | 2001-06-11 |
Theoretical Calculation of Optimum Doping Content for LiNbO3 Crystals |
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