| GaAs/AlAs短周期超晶格的静压光致发光研究 |
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| 引用本文： | 李国华,江德生,韩和相,汪兆平,K.Ploog.GaAs/AlAs短周期超晶格的静压光致发光研究[J].半导体学报,1990,11(2):88-96. |
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| 作者姓名： | 李国华 江德生 韩和相 汪兆平 K.Ploog |
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| 作者单位： | “半导体超晶格”国家重点实验室中国科学院半导体研究所，“半导体超晶格”国家重点实验室中国科学院半导体研究所，“半导体超晶格”国家重点实验室中国科学院半导体研究所，“半导体超晶格”国家重点实验室中国科学院半导体研究所，西德斯图加特马普固体研究所 北京，北京，北京，北京 |
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| 摘 要： | 在室温和液氮温度下对不同层厚的GaAs/AlAs短周期超晶格在0—50kbar范围内进行了静压光致发光研究。在导带最低能级为类Γ态能级(Ⅰ类超晶格)和类X态能级(Ⅱ类超晶格)两种情况下都得到了类Γ态能级与类X态能级差随层厚的变化。首次直接观察到室温、常压下(GaAs)_(11)(AlAs)_(11)超晶格中类Γ态能级与类X态能级发生交叉。从发光峰的强度随压力的变化求得室温下在类Γ态能级与类X态能级恰好交叉的压力下类X态电子和类Γ态电子到价带空穴的跃迁几率之比从(GaAs)_(17)(AlAs)_(17)的1.4×10~(-4)逐渐增加到(GaAs)_6(AlAs)_6的4.6×10~(-3)。表明类Γ态和类X态间的混合较弱。对实验结果进行了简短的讨论。
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| 关 键 词： | GaAs／AlAs 超晶格 光致发光 静压 |
Photoluminescence Studies of GaAs/AlAs Short Period Superlattices under Hydrostatic Pressure |
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| Keywords: | Superlattice Pressure Photoluminescence |
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