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| 硅膜厚度和背栅对SIMOX／SOI薄膜全耗尽MOSFET特性影响的研究 | |
| 引用本文： | 魏丽琼,程玉华,孙玉秀,阎桂珍,李映雪,武国英,王阳元.硅膜厚度和背栅对SIMOX／SOI薄膜全耗尽MOSFET特性影响的研究[J].半导体学报,1995,16(3):206-211. |
| 作者姓名： | 魏丽琼 程玉华 孙玉秀 阎桂珍 李映雪 武国英 王阳元 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所 |
| 摘 要： | 本文报道了薄膜ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ材料上全耗尽ＭＯＳＦＥＴ的制备情况，并对不同硅膜厚度和不同背面栅压下的器件特性进行了分析和比较．实验结果表明，全耗尽器件完全消除了＂Ｋｉｎｋ＂效应，低场电子迁移率典型值为６２０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，空穴迁移率为２１０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，泄漏电流低于１０－１２Ａ；随着硅膜厚度的减簿，器件的驱动电流明显增加，亚阈值特性得到改善；全耗尽器件正、背栅之间有强烈的耦合作用，背表面状况可以对器件特性产生明显影响．该工作为以后薄膜全耗尽ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ电路的研制与分析奠定了基础． |
| 关 键 词： | MOSFET SIMOX SOI 薄膜 硅膜厚度 背栅 |
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