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再论军用半导体器件的贮存期及“延寿试验”
引用本文:
翁寿松.再论军用半导体器件的贮存期及“延寿试验”[J].半导体杂志,1994,19(2):37-41,8.
作者姓名:
翁寿松
作者单位:
无锡市元件四厂
摘 要:
本文讨论了军用半导体器件的贮存失效率模型、贮存失效率曲线、贮存数据和“延寿试验”.再次阐明超过贮存期的器件只要进行必要的“延寿试验”,试验合格的产品仍可交付使用。
关 键 词:
半导体器件
军事
寿命
试验
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