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| 新型低噪声模式的硅二极管 | |
| 引用本文： | 科兵.新型低噪声模式的硅二极管[J].微纳电子技术,1972(2). |
| 作者姓名： | 科兵 |
| 摘 要： | 据报导,贝尔实验室制成一种称为“BARITT”的势垒注入渡越时间二极管。它是由夹在硅化铂肖特基势垒接触间的10微米厚的 n 型硅片制成的。其噪声系数比硅雪崩二极管约低20分贝,也低于 GaAs 电子转移振荡器(见表),且制作简便。微波连续功率在4.9千兆赫下已获57毫瓦,其效率达2.3%。在1兆赫载波下调频噪声为22.8分贝。Baritt 二极管的另一特点是,它的偏压为5～80伏,并与频率无关。其次,由于是对称结构,它可在任一极性下工作。据称,用硅的最佳材料和工艺制成的器件,其可靠性 |
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