| 氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展 |
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| 引用本文： | 张育民,王建峰,蔡德敏,徐俞,王明月,胡晓剑,徐琳,徐科. 氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1970-1983 |
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| 作者姓名： | 张育民 王建峰 蔡德敏 徐俞 王明月 胡晓剑 徐琳 徐科 |
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| 作者单位： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123;苏州纳维科技股份有限公司,苏州 215123;苏州纳维科技股份有限公司,苏州 215123 |
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| 基金项目： | (国家重点研发计划)%(国家自然科学基金)%(中国科学院前沿科学重点研究计划项目) |
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| 摘 要： | 氮化镓(GaN)晶体是制备蓝绿光激光器、射频微波器件以及电力电子等器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通讯及智能电网等领域具有广阔的应用前景。目前市场上的氮化镓单晶衬底大部分都是通过氢化物气相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE)方法生长制备的,在市场需求的推动下,近年来HVPE生长技术获得了快速的发展。本论文综述了近年来HVPE方法生长GaN单晶衬底的主要进展,主要内容包含HVPE生长GaN材料的基本原理、GaN单晶中的掺杂与光电性能调控、GaN单晶中的缺陷及其演变规律和GaN单晶衬底在器件中的应用。最后对HVPE生长方法的发展趋势进行了展望。
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| 关 键 词： | 氢化物气相外延生长 氮化镓 晶体生长 掺杂 光电性能 缺陷 |
Progress on GaN Single Crystal Substrate Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy |
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| ZHANG Yumin,WANG Jianfeng,CAI Demin,XU Yu,WANG Mingyue,HU Xiaojian,XU Lin,XU Ke. Progress on GaN Single Crystal Substrate Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2020, 49(11): 1970-1983 |
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| Authors: | ZHANG Yumin WANG Jianfeng CAI Demin XU Yu WANG Mingyue HU Xiaojian XU Lin XU Ke |
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