| Ge掺杂β-Ga2O3晶体的发光性能研究 |
| |
| 作者姓名： | 何诺天 唐慧丽 刘波 张浩 朱智超 赵衡煜 徐军 |
| |
| 作者单位： | 同济大学高等研究院物理科学与工程学院,先进微结构材料教育部重点实验室,上海200092;同济大学化学科学与工程学院,上海200092;同济大学高等研究院物理科学与工程学院,先进微结构材料教育部重点实验室,上海200092;上海蓝宝石晶体工程研究中心,上海200092 |
| |
| 基金项目： | (Scientific and Innovative Action Plan of Shanghai );(Equipment Pre-research Fund Key Project ) |
| |
| 摘 要： | 采用浮区法(FZ)生长Ge掺杂β-Ga2O3晶体,利用XRD和Raman光谱研究了掺杂对晶体结构的影响.透射光谱测试表明,随着Ge离子掺杂浓度增加,Ge∶ β-Ga2O3晶体光学带隙增大.在4.67 eV紫外光激发下,Ge∶ β-Ga2O3晶体的发光强度与β-Ga2O3晶体相当,发光衰减时间比β-Ga2O3晶体更快.
|
| 关 键 词： | 氧化镓 Ge掺杂 发光性能 快衰减 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
