| 氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延 |
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| 引用本文： | 沈波,杨学林,许福军.氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延[J].人工晶体学报,2020,49(11):1953-1969. |
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| 作者姓名： | 沈波 杨学林 许福军 |
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| 作者单位： | 北京大学宽禁带半导体研究中心,北京 100871;北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871;北京大学物理学院,北京 100871;量子物质科学协同创新中心,北京 100871;教育部纳光电子前沿科学中心,北京 100871;北京大学宽禁带半导体研究中心,北京 100871;北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871;北京大学物理学院,北京 100871 |
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| 基金项目： | (国家重点研发计划)%(国家自然科学基金) |
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| 摘 要： | 以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系.由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要通过异质外延,特别是大失配异质外延来制备.由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈,严重影响了材料和器件性能的提升.本文简要介绍了氮化物半导体金属有机化学气相沉积(MOCVD)大失配异质外延的发展历史,重点介绍了北京大学在蓝宝石衬底上AlN、高Al组分AlGaN的MOCVD外延生长和p型掺杂、Si衬底上GaN薄膜及其异质结构的外延生长和缺陷控制等方面的主要研究进展.最后对Ⅲ族氮化物宽禁带半导体MOCVD大失配异质外延的未来发展做了简要展望.
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| 关 键 词： | 氮化镓 氮化铝 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 大失配异质外延 宽禁带半导体 |
Large Lattice-Mismatched Heteroepitaxial Growth of Nitride Wide Bandgap Semiconductors by MOCVD |
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| SHEN Bo,YANG Xuelin,XU Fujun.Large Lattice-Mismatched Heteroepitaxial Growth of Nitride Wide Bandgap Semiconductors by MOCVD[J].Journal of Synthetic Crystals,2020,49(11):1953-1969. |
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| Authors: | SHEN Bo YANG Xuelin XU Fujun |
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