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硅基上Si1-xGex合金的外延生长及性能研究
引用本文:袁紫媛,潘睿,夏顺吉,魏炼,叶佳佳,李晨,陈延峰,芦红.硅基上Si1-xGex合金的外延生长及性能研究[J].人工晶体学报,2020,49(11):2178-2193.
作者姓名:袁紫媛  潘睿  夏顺吉  魏炼  叶佳佳  李晨  陈延峰  芦红
作者单位:南京大学,固体微结构物理国家重点实验室&现代工程与应用科学学院,南京 210093;南京大学,固体微结构物理国家重点实验室&现代工程与应用科学学院,南京 210093;江苏省功能材料设计原理与应用技术重点实验室,南京 210023
基金项目:(国家重点研发项目)%(国家自然科学基金重点项目)
摘    要:硅基上高质量的异质外延生长是实现高性能微电子器件的基础,本文通过低温分子束外延技术在Si衬底上实现了全组分的Si1-x Gex(0
关 键 词:分子束外延  Si1-xGex合金  硅基锗  Ge量子点  异质外延  界面调控

Epitaxial Growth and Characterizations of Si1-xGex Alloys on Si Substrate
YUAN Ziyuan,PAN Rui,XIA Shunji,WEI Lian,YE Jiajia,LI Chen,CHEN Yanfeng,LU Hong.Epitaxial Growth and Characterizations of Si1-xGex Alloys on Si Substrate[J].Journal of Synthetic Crystals,2020,49(11):2178-2193.
Authors:YUAN Ziyuan  PAN Rui  XIA Shunji  WEI Lian  YE Jiajia  LI Chen  CHEN Yanfeng  LU Hong
Abstract:
Keywords:
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