首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

InAlN在不同模板上的MOCVD外延
引用本文:贠利君,魏同波,闫建昌,刘喆,王军喜,李晋闽.InAlN在不同模板上的MOCVD外延[J].半导体学报,2011,32(9):093001-5.
作者姓名:贠利君  魏同波  闫建昌  刘喆  王军喜  李晋闽
作者单位:中国科学院半导体研究所半导体照明研发设计中心,中国科学院半导体研究所半导体照明研发设计中心,中国科学院半导体研究所半导体照明研发设计中心,中国科学院半导体研究所半导体照明研发设计中心,中国科学院半导体研究所半导体照明研发设计中心,中国科学院半导体研究所半导体照明研发设计中心
基金项目:Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60806001); the National High Technology Research and Development Program of China(No.2011AA03A103); the National Basic Research Program of China(No.2011CB301904)
摘    要:在相同的生长条件下,分别在高质量的GaN 和 AlN 模板上生长InAlN外延层。 测试结果显示:本实验的两个样品的In组分均为~16%,但在AlN模板上生长的InAlN外延层的晶体质量和表面形貌都要优于在GaN模板上生长的样品。其中,在GaN模板上生长的InAlN样品的(002)和(102)峰摇摆曲线的半峰宽分别为309.3″和339.1″,样品表面的粗糙度为0.593 nm,v坑密度约为4.2108cm-2;而在AlN模板上生长的InAlN样品的(002)和(102)峰摇摆曲线的半峰宽分别为282.3″和313.5″,样品表面的粗糙度为0.39 nm,v坑密度约为2.8108cm-2 。综合以上结果可初步得知,在AlN模板上生长的InAlN外延层的晶体质量和表面形貌都要优于在GaN模板上生长的InAlN外延层,因此,相对于GaN模板来说,AlN模板更适宜高质量的InAlN 外延层的生长。

关 键 词:铝模板  MOCVD  外延生长  晶体质量  表面形貌  表面粗糙度  氮化镓  增长参数
收稿时间:4/7/2011 11:52:02 AM
修稿时间:5/5/2011 10:00:43 AM

MOCVD epitaxy of InAlN on different templates
Yun Lijun,Wei Tongbo,Yan Jianchang,Liu Zhe,Wang Junxi and Li Jinmin.MOCVD epitaxy of InAlN on different templates[J].Chinese Journal of Semiconductors,2011,32(9):093001-5.
Authors:Yun Lijun  Wei Tongbo  Yan Jianchang  Liu Zhe  Wang Junxi and Li Jinmin
Institution:R&D Center for Semiconductor Lighting, Institute of Semiconductor, Chinese Academy of Sciences,R&D Center for Semiconductor Lighting, Institute of Semiconductor, Chinese Academy of Sciences,R&D Center for Semiconductor Lighting, Institute of Semiconductor, Chinese Academy of Sciences,R&D Center for Semiconductor Lighting, Institute of Semiconductor, Chinese Academy of Sciences,R&D Center for Semiconductor Lighting, Institute of Semiconductor, Chinese Academy of Sciences,R&D Center for Semiconductor Lighting, Institute of Semiconductor, Chinese Academy of Sciences
Abstract:
Keywords:InAlN  Epilayer  Template  Crystal quality  Surface topography
本文献已被 维普 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号