| 有限深球方势阱研究Au纳米粒子自组装体系的I-V特性 |
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| 引用本文： | 何红波,周继承,胡慧芳,李义兵.有限深球方势阱研究Au纳米粒子自组装体系的I-V特性[J].量子电子学报,2000,17(6):562-567. |
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| 作者姓名： | 何红波 周继承 胡慧芳 李义兵 |
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| 作者单位： | 长沙铁道学院信息学院材料研究所长沙 410075 |
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| 基金项目： | 本文受国家自然科学基金(69771011，69890227)与霍英东基金资助． |
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| 摘 要： | 本文在量子点的球方阱模型基础上，利用转移哈密顿法计算了纳米粒子自组装体系电子的跃迁几率，在此基础上，通过求解电子跃迁的主方程即可得到该体系的隧穿电流与偏压的关系。
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| 关 键 词： | 微电子 转移哈密顿法 球方势阱 IV特性 纳米粒子 |
| 收稿时间： | 1999/10/8 |
| 修稿时间： | 1999年10月8日 |
Simulation of I-V Property of Au Nanoparticle Self-assembly System Using Finite Well Potential |
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| He Hongbo,Zhou Jicheng,Hu Huifang,Li Yibing.Simulation of I-V Property of Au Nanoparticle Self-assembly System Using Finite Well Potential[J].Chinese Journal of Quantum Electronics,2000,17(6):562-567. |
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| Authors: | He Hongbo Zhou Jicheng Hu Huifang Li Yibing |
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| Abstract: | In this paper, the hopping rates of electrons in nanoparticle self-assembly system are computed using transfer Hamiltonian based on the finite well potential model of quantum dots. Then the relation between tunneling current and bias voltage is gotten by the solution of the master equation of electron hopping. |
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| Keywords: | transfer Hamiltonian hopping rate master equation |
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