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衬底对Cu(In,Ga)Se2薄膜织构的影响
引用本文:李微,敖建平,何青,刘芳芳,李凤岩,李长健,孙云.衬底对Cu(In,Ga)Se2薄膜织构的影响[J].物理学报,2007,56(8).
作者姓名:李微  敖建平  何青  刘芳芳  李凤岩  李长健  孙云
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:分别在苏打石灰玻璃、Mo箔、无择优取向的Mo薄膜以及(110)择优取向的Mo薄膜四种不同衬底上,采用共蒸发工艺沉积约2μm厚的Cu(In,Ga)Se2薄膜,用X射线衍射仪测量薄膜的织构,研究衬底对Cu(In,Ga)Se2薄膜织构的影响.在以上四种衬底上沉积的Cu(In,Ga)Se2薄膜的(112)衍射峰强度依次逐渐减弱,(220/204)衍射峰从无到有且强度逐渐增强.在苏打石灰玻璃和Mo箔衬底上的Cu(In,Ga)Se2薄膜具有明显的(112)择优生长,而在(110)取向的Mo薄膜衬底上,Cu(In,Ga)Se2薄膜的织构为(220/204)取向.研究结果表明,只有(110)择优取向的Mo薄膜衬底对Cu(In,Ga)Se2薄膜(220/204)织构的形成有重要影响.

关 键 词:择优取向  Ga)Se2薄膜  太阳电池

The influence of substrate on texture of Cu(In,Ga)Se2 film
Li Wei,Ao Jian-Ping,He Qing,Liu Fang-Fang,Li Feng-Yan,Li Chang-Jian,Sun Yun.The influence of substrate on texture of Cu(In,Ga)Se2 film[J].Acta Physica Sinica,2007,56(8).
Authors:Li Wei  Ao Jian-Ping  He Qing  Liu Fang-Fang  Li Feng-Yan  Li Chang-Jian  Sun Yun
Abstract:
Keywords:Cu(In
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